NTD2955, NVD2955
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
P (pk)
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
0.01
0.01
SINGLE PULSE
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
READ TIME AT t 1
T J(pk) - T C = P (pk) R q JC (t)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
5
相关PDF资料
NTD3055-094G MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
NTD3055-150T4 MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
NTD3055L104 MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
NTD3055L170-001 MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
NTD30N02T4 MOSFET N-CH 24V 30A DPAK
NTD32N06LT4G MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
NTD32N06T4G MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
NTD3808NT4G MOSFET N-CH 16V 12A DPAK
相关代理商/技术参数
NTD2955T4 功能描述:MOSFET -60V -12A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD2955T4G 功能描述:MOSFET -60V -12A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD2955T4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:P CHANNEL MOSFET -60V 12A D-PAK
NTD2955T4G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:NTD Series P-Channel 60 V 155 mOhm 55 W Tab Mount Power MOSFET - TO-252
NTD30 制造商:EDI 制造商全称:Electronic devices inc. 功能描述:HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS
NTD3055-094 功能描述:MOSFET 60V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD3055-094/D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 12 Amps, 60 Volts
NTD3055-094-1 功能描述:MOSFET 60V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube